bb贝博app登录:有研艾斯请求改进硅片边际腐蚀后膜厚均匀性办法专利有用提高硅片边际膜厚均匀性

  国家知识产权局信息数据显现，山东有研艾斯半导体资料有限公司请求一项名为“一种改进硅片边际腐蚀后膜厚均匀性的办法”的专利，公开号CN121310869A，请求日期为2025年9月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种改进硅片边际腐蚀后膜厚均匀性的办法，用于带有SiO2薄膜的硅片，包含以下过程：S1、将带有SiO2薄膜的硅片放入腐蚀液中，对硅片边际的SiO2薄膜进行腐蚀；S2、将腐蚀后的硅片放入清洗液中，对硅片边际进行整理洗刷；S3、将清洗后的硅片放入去离子水中，对硅片边际进行漂洗；S4、将漂洗后的硅片放入甩干机中，对硅片进行甩干。本发明经过优化腐蚀、清洗、漂洗和甩干工艺，有用提高了硅片边际腐蚀后的膜厚均匀性。

  天眼查资料显现，山东有研艾斯半导体资料有限公司，成立于2020年，坐落德州市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本274180.16万人民币。经过天眼查大数据分析，山东有研艾斯半导体资料有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目424次，产业线条，此外企业还具有行政许可22个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。